Схема задержки на триггере на транзисторах


При воздействии отрицательного импульса на базу транзистора Т2 он открывается, а Т1 закрывается. Если на оба входа поданы напряжения логических «1», то токи через диоды VD1 и VD2 не протекают, и напряжение на выходе элемента при условии, что сопротивление нагрузки значительно больше сопротивления резистора R1, будет примерно равно напряжению питания. Рисунок 14. Схема снижения вероятности возникновения метастабильного состояния на выходе триггера Для сравнения приведем MBTF для новой схемы. Ключ В должен быть подсоединён к схеме в точке А и Е, чтобы точку соединения резисторов R3, R1 можно было замыкать на общий провод (минусовая шина печатной платы). Рис. 10. Транзистор в схеме работает как выключатель. Одна средняя современная станция одновременно может обслуживать до 1000 каналов.


Согласно таблице истинности логического элемента «2И-НЕ» на выходе Q появится единичный потенциал. Прежде всего это относится к собственно запоминающему элементу триггера. Прямоугольный импульс напряжения иногда рассматривают как совокупность двух перепадов напряжения. B.2. SRAM и DRAM. Полупроводниковая оперативная память в настоящее время делится на статическое ОЗУ (SRAM) и динамическое ОЗУ (DRAM). Прежде, чем объяснять разницу между ними, рассмотрим эволюцию полупроводниковой памяти за последние сорок лет. B.2.1. Триггеры. Последняя строчка этой таблицы эквивалентна времени метастабильности tMET = 5 нс.

Кроме того, адаптер можно использовать для отыскания скрытой проводки при ремонтных работах. Двухтактный -триггер (рис. ) не критичен к длительностям управляющих и синхронизирующих сигналов. Если слышимость радиостанции низкая, к приёмнику все же нужно подключить наружную антенну. Большинство электронов прочно связано с атомами, но имеются и так называемые «свободные», или валентные, электроны.

Похожие записи: